武汉敏芯申请对接外延生长脊波导激光器芯片及其制作方法专利，降低芯片的阈值电流

金融界2025年5月9日消息，国家知识产权局信息显示，武汉敏芯半导体股份有限公司申请一项名为“一种对接外延生长脊波导激光器芯片及其制作方法”的专利，公开号CN119944435A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种对接外延生长脊波导激光器芯片及其制作方法，属于激光器技术领域，包括将对接生长的外延片上制作出脊波导结构，脊波导结构涂覆一层光刻胶黏附剂以及两层光刻胶，套刻脊波导结构的凸脊处开出窗口，窗口覆盖无源区和部分有源区的上方区域，对窗口内的外延片进行曝光和显影，去除部分光刻胶，刻蚀去除窗口内的剩余光刻胶暴露出欧姆接触层，腐蚀去除窗口内的欧姆接触层，去除外延片表面的全部光刻胶。本发明通过双层胶光刻和湿法腐蚀来控制欧姆接触层的长度，进一步向有源区上方的欧姆接触层进行腐蚀，有效抑制了电流向无源波导方向的扩散，降低了芯片的阈值电流，降低无源波导区域的发热量，提高了芯片的可靠性。

天眼查资料显示，武汉敏芯半导体股份有限公司，成立于2017年，位于武汉市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本5514.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉敏芯半导体股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息101条，此外企业还拥有行政许可8个。

本文源自：金融界

作者：情报员