三星2nm工艺良品率持续提升，目前已超过40%

此前有报道称，三星在 2nm（SF2）工艺的测试生产中实现了高于预期的初始良品率，达到 30% 以上。三星计划在 2025 年第四季度量产 2nm 工艺，为 Exynos 2600 的大规模生产做好准备。

据 TECHPOWERUP报道，近日三星 2nm 工艺开发团队取得了令人满意的实验性生产里程碑，开发当中的 2nm 工艺在良品率方面的表现比之前的 3nm 工艺要更好，2nm 工艺的良品率已经提升到 40% 以上。按照目前的推进速度，有可能刚好赶上 Exynos 2600 的量产。

虽然三星在 2nm 工艺上有了不错的进展，但是这种表现并不足够令人满意。竞争对手台积电（TSMC）在去年 12 月对 2nm 工艺的试产当中，良品率就已超过 60%，传闻现在已提升至 70% 至 80%，接近于量产的水平。

SF2 集成了三星第三代 GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，相比于 SF3（3nm），性能提高了 12%，功率效率提高了 25%，芯片面积减少了 5%。三星还打算在 2nm 制程节点上引入 "BSPDN（背面供电网络）" 技术，将电源轨置于晶圆的背面，以消除电源线和信号线之间的瓶颈，解决 FSPDN（前端供电网络）造成的前端布线堵塞问题，进一步提升性能和能效，并缩小芯片面积。