南亚科技申请存储器装置制造方法专利，使存储器结构达成更好效能

金融界2025年5月9日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“存储器装置的制造方法”的专利，公开号CN119947092A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，一种存储器装置的制造方法，包括：在基板上方形成硬式遮罩层，其中硬式遮罩层由氧化物类材料制成，且硬式遮罩层具有第一宽度；穿过硬式遮罩层在基板中形成沟槽；对基板执行第一清洁工艺，其中硬式遮罩层的第一宽度在第一清洁工艺完成之后减小至第二宽度；形成第一介电层，从而为内衬于沟槽；在沟槽中形成第一字元线层；在沟槽中与第一字元线层上方形成第二字元线层；在沟槽中及该第二字元线层上方形成顶盖层；移除硬式遮罩层；及在顶盖层上方形成漏极接触层。通过此方式形成的字元线层具有较少孔隙，以达成存储器结构的更好效能。

本文源自：金融界

作者：情报员